原理：基于空间电荷限制电流（SCLC）理论，通过在极低至室温（如77K至300K）的宽温区内采集器件暗态下的电流-电压（I-V）特性。利用曲线从欧姆导电区向陷阱填充极限区（TFL）突变的临界电压（VTFL），直接提取材料禁带内的深浅陷阱态密度（Nt）及热激活能。

原理：手性晶格或手性分子具备独特的三维螺旋不对称性，导致其对不同自旋角动量光子的电偶极矩和磁偶极矩跃迁概率不同。宏观上表现为对LCP和RCP的吸收率差异（CD谱），并在光电探测器中转化为稳态光生电流的绝对差值。

原理：通过在光路中引入偏振片与半波片，精确控制入射光线偏振方向，记录光电流随偏振角变化的周期性响应。基于低维各向异性材料晶格结构的非对称性，导致其对不同偏振方向光子的吸收截面与载流子跃迁概率产生显著差异，宏观表现为光电流强度的二向色性

原理：利用高精度二维压电位移台结合共聚焦光路，将激光聚焦至亚微米级光斑，在器件表面进行二维逐点扫描。系统同步记录每个空间坐标下产生的光生电流信号，从而构建出器件内部微观光电响应强度与物理形貌的高精度空间对应映射图谱

原理：通过动态信号分析仪在频域内采集器件暗态下的微弱电流波动，精确分离出闪烁噪声（1/f噪声）、散粒噪声与热噪声。结合光谱响应度数据，计算出等效噪声功率（NEP）与比探测率，真实量化器件的本底信噪比极限