1.项目介绍
动态二次离子质谱（D-SIMS）采用气体等离子源轰击样品表面，使样品表面的原子、分子或离子被溅射出来，通过质量分析器接收溅射出的二次离子，依据其质荷比（m/z）进行分析，获得二次离子质谱。
与飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）相比，D-SIMS 具有更强的深度分析能力，分析深度可达 5–10 μm，且在剖析过程中可连续测试元素信息。其深度分辨率和检出限均优于 TOF-SIMS。典型分析面积以 100 μm、200 μm、300 μm 见方为主，分析面积越大，溅射速率越低。
2.样品要求
2.1 样品以固态薄层、表面平整材料为主，如衬底或薄膜。粉末、已封装或具有特殊结构的样品需进行适当制备。
2.2 样品尺寸要求在 5–10 mm 之间，厚度不超过 1 mm。请真空保存，并在样品上清晰标记测试面。
2.3 分析面积以 100 μm、200 μm、300 μm 见方为主，面积越大，溅射速率越低。
2.4 分析深度一般在 5 μm 以内，最大不超过 10 μm。
2.5 部分样品可实现定量分析（如硅中掺杂硼 B、磷 P、砷 As 等，以及各类化合物半导体及其多层结构），定量能力取决于是否有合适的标准样品。
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