具体测试对象：
低迁移率或新兴薄膜光电材料
钙钛矿太阳能电池（PSC）及发光二极管活性层
有机光伏器件（OPV）与有机发光二极管（OLED）
胶体量子点（CQD）及金属氧化物薄膜
1. 项目介绍
原理：构建单极性（纯电子 / 纯空穴）器件，在暗态下施加偏压。当外加电场驱动的注入载流子浓度超过材料热平衡载流子浓度时，电流输运转变为受空间电荷限制状态。在无陷阱的理想限域区，电流密度与电压的平方成正比，遵循 Mott-Gurney 定律：
作用：评估薄膜材料在器件实际工作方向（垂直基底方向）的本征电荷输运能力，以及内部深/浅能级缺陷的分布情况，主要测量载流子迁移率（μ）和陷阱态缺陷密度（Ntrap），其中，Ntrap通过识别双对数 J-V曲线中的陷阱填充限制电压（VTFL）计算得出:
2. 样品要求
2.1 器件需确保单一极性电荷的高效注入，同时完全阻挡另一种极性电荷，避免少子注入引发复合电流导致模型失效
2.2 样品的活性层厚度必须高度均匀，且需通过台阶仪、椭偏仪或截面扫描电子显微镜（SEM）进行精准测量标定
3. 常见问题
3.1 漏电流过大且无明显 VTFL拐点
表现为低电压欧姆区暗电流异常偏高，直接掩盖陷阱填充过程。此现象多由薄膜致密性差、存在贯穿针孔或顶电极金属蒸镀渗透引发的器件微短路导致，此时无法提取缺陷密度参数。
3.2 有效驱动电压未修正导致参数失真
Mott-Gurney 定律中的电压变量为有效驱动电压。在处理数据时，若直接使用外加偏压（Vappl）进行拟合，未扣除器件内建电势差（Vbi）与寄生串联电阻引起的压降（Vrs），即未采用 V=Vappl-Vbi-Vrs 进行修正，将导致拟合得出的迁移率严重偏低。
使用设备：SCLC迁移率测试系统
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