具体测试对象：
巨量转移后的Micro-LED晶圆级阵列背板
Mini-LED直显基板
高密度柔性发光模组
1. 项目介绍
原理：利用高分辨机器视觉结合光致发光（PL）或电致发光（EL）激发源，对巨量转移后的微缩芯片阵列进行高速显微扫描。通过捕捉阵列表面的反射光、荧光或电驱动光信号并执行图像比对与特征识别算法，精准定位并提取发光异常或存在物理偏移的微像素坐标。
作用：量化评估巨量转移工艺的良率与转移精度；为后段工艺中的激光修复或冗余像素定点替换提供高精度的缺陷坐标映射图谱；拦截并剔除具有隐性电学或光学缺陷的面板。
测试内容：死光像素与暗点绝对坐标定位、阵列发光亮度均匀性映射、微区波长分布与光谱偏移分析、芯片转移位移偏差与旋转角度测定、以及电极桥接或开路状态筛查。
2. 样品要求
2.1 发光面及周围基底需处于极高标准的洁净状态。巨量转移胶材残留、未清除的光刻胶、微尘颗粒或导电异物，均会在光学或激光扫描中诱发漫反射或遮挡光路。这些干扰易导致底层算法提取特征错误，误判为死光像素或物理缺陷，测试前必须进行标准化清洗
2.2 测试工装需具备严格防静电设计。此外，高通量光致发光测试需使用高能激光连续扫描，基底必须具备高导热通道，防止局部热斑效应诱发微像素的二次热应力损伤或导致测试光谱产生热红移
3. 常见问题
3.1 PL与EL测试结果错位
为追求速度，常采用非接触式光致发光（PL）扫描替代电致发光（EL）测试。但PL仅证实量子阱材料完整性，无法侦测PN结漏电或电极断路等电学致命缺陷。这导致PL测试判定的“好点”，在最终封装通电时可能因电学断路成为“坏点”，单一光学扫描无法提供绝对良率数据
3.2 探针阵列物理极限
执行EL全点阵发光测试时，传统的机械探针卡在面对极小像素间距时逼近物理极限。像素同步扎针极难保证接触压力均匀，局部应力易压碎微芯片或刺穿绝缘层。且大电流注入极微小接触面积产生的瞬态焦耳热，常导致探针熔融或在表面留下热烧蚀痕迹。
使用设备：自动光学检测设备
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