具体测试对象：
重掺杂或轻掺杂的外延层
二维半导体材料等
宽禁带半导体单晶晶圆或厚膜（如SiC、GaN、AlN、金刚石等）
1. 项目介绍
原理：在宽温区（如10K至800K）内，通过在半导体样品上施加恒定磁场与电流，测量横向霍尔电压随温度变化的规律。基于洛伦兹力偏转运动电荷。通过解析不同温度下的霍尔系数与电导率，揭示宽禁带半导体内杂质电离过程、载流子输运机制与散射物理规律。
作用：测试体载流子浓度（n 或 p）、霍尔迁移率（μH）以及电阻率（ρ）随绝对温度（T）的变化曲线。计算杂质（施主/受主）的热激活能（EA）及补偿度；判定晶体内部的主导载流子散射机制（如声学声子散射、光学声子散射或电离杂质散射）；评估宽禁带半导体的结晶质量与外延工艺的掺杂真实激活率。
2. 样品要求
2.1 若测试对象为薄膜或外延层（如蓝宝石上的GaN或绝缘SiC上的外延SiC），其下方的衬底或缓冲层必须在全温区内保持绝对绝缘。若衬底存在漏电（哪怕在高温下才表现出导电性），测试的霍尔电压将包含衬底极大的寄生并联导电贡献，导致薄膜载流子浓度和迁移率的计算完全失真。
2.2 由于TDH测试温度可能高达600K至800K，制备的欧姆金属电极必须具备极强的抗热氧化与抗合金化能力。在高温循环中，电极绝对不能发生熔融流片、氧化起皮或与半导体发生深层化学反应，否则接触特性会中途转变为肖特基接触，导致测试失败。
3. 常见问题
无
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