原理：构建单极性（纯电子 / 纯空穴）器件，在暗态下施加偏压。当外加电场驱动的注入载流子浓度超过材料热平衡载流子浓度时，电流输运转变为受空间电荷限制状态。在无陷阱的理想限域区，电流密度与电压的平方成正比，遵循 Mott-Gurney 定律

原理：利用单色仪输出连续波长的单色光照射器件，并同步测量器件输出的短路电流，计算器件收集到的光生电子数与照射在器件表面的入射单色光子数之比，进而绘制出 EQE 随波长变化的响应光谱。

原理：标准太阳光照下（AM1.5G标准太阳光谱，100mW/cm2辐照度，常温）或者暗态（无光照环境）下，通过高精度源测量单元对器件两端施加连续变化的偏置电压，并同步采集对应的输出电流密度J，绘制出 J-V曲线。