具体测试对象：
氮化铝（AlN）
高铝组分氮化铝镓（AlGaN）外延片
金刚石单晶及超宽禁带多量子阱（MQWs）结构
1. 项目介绍
原理：利用高能深紫外激光（如193nm或213nm）激发半导体，记录电子跃迁复合后释放的光谱。直接反映超宽带隙材料的能带结构与辐射复合动力学。
作用：测试深紫外波段的近带边发射峰（NBE）、深层缺陷发光带及变温积分发光强度。能够准确标定材料的本征光学带隙与合金组分波动；量化评估发光层的内量子效率（IQE）；识别阳离子空位等点缺陷引起的非辐射跃迁与能带拖尾效应。
2. 样品要求
2.1 表面应保持纯净无机态，深紫外光能量极高，极易被表面微量残留的光刻胶、清洗剂或有机吸附物强烈吸收，从而激发出巨大的宽带发光背景，彻底淹没目标材料极微弱的本征信号。
2.2 表面应保持平整，由于DUV波长极短，材料表面的粗糙起伏会引发极其强烈的瑞利散射。粗糙表面会严重散射激发光路与发射光路，导致光子收集效率急剧下降。
3. 常见问题
3.1 空气强吸收导致信号骤降。
波长短于200nm的深紫外光子在空气中会被氧气和水汽强烈吸收。若整个光谱仪光路未进行高纯氮气持续吹扫或未抽至极高真空，光子在到达探测器前便会消耗殆尽。
3.2 激光诱发物理光损伤。
高功率脉冲深紫外激光的单光子能量极大（>6 eV）。长时间定点照射极易打断晶格键或诱发不可逆的表面光化学氧化，导致实测发光峰发生虚假红移或信号在测试中途迅速猝灭。
复制产品链接
长按图片保存/分享
询盘
询盘
东谱科技（广州）有限责任公司 东谱检测
热线：
020-66834066 / 18565438025
邮箱：
test@orientalspectra.com
地址：
广东省广州市天河区白沙水路长兴创兴港5栋
