具体测试对象：
碳化硅MOSFET的栅极氧化层（SiO₂）
超宽禁带器件的界面绝缘薄膜
先进封装中的高频介电层材料等
1. 项目介绍
原理：在低于材料本征击穿强度的恒定电压CVS或恒定电流CCS应力下，长时间持续施加电荷注入。随着绝缘薄膜内部缺陷不断产生与积累，当缺陷密度达到临界阈值时，最终形成贯穿的导电通路，导致介质发生突发性物理击穿。
作用：测试特定应力下的击穿时间tBD、绘制Weibull统计分布图、以及应力诱导漏电流随时间的演化曲线。评估栅氧界面本征缺陷密度与外延工艺质量；量化剖析宽禁带器件在高温、强电场极端工况下的绝缘退化与失效模型。
2. 样品要求
2.1 样品的绝缘层必须具备极高的致密性与极低的初始缺陷密度。若制程中引入了严重的针孔缺陷或金属颗粒污染，介质会在施加应力的初期瞬间发生早期失效，无法进入真实的磨损老化阶段，导致无法提取本征击穿动力学参数。
2.2 裸片测试需使用高抗氧化的探针并确保绝对的机械防震，或预先将器件进行高可靠性的树脂封装，防止测试期间因机械接触失效导致的电应力意外中断。
3. 常见问题
3.1 在进行恒流应力或针对极薄介质的高压测试时，大量高能电荷注入会产生显著的局域焦耳热。
由于芯片微区热量无法及时传导散溢，氧化层真实温度将远高于设定的环境热台温度，导致器件发生热失控而非真实的电学老化击穿，严重低估介质耐压能力。
使用设备：半导体参数分析仪
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