对巨量转移后的芯片进行单元级电气测试，检测LED、背板和键合接口的异常。
具体测试对象：
高密度Micro-LED外延芯片阵列
各向异性导电胶（ACF）
TFT（薄膜晶体管）或CMOS驱动背板等
1 项目介绍
原理：在微米级芯片键合到驱动背板后，通过高密度微纳探针矩阵（或非接触式电容/电磁感应）向各个独立像素施加精密的微伏/微安级电激励，动态采集电流-电压（I-V）响应曲线，以此评估芯片本征电学特性与接口键合质量。
作用：测量像素单元的正向导通电压（Vf）、反向漏电流（Ir）、键合接触电阻（Rc）及阵列电学阻抗均匀性分布。能够在显示面板进入全模块组装前，精准识别并定位由于巨量转移机械应力引起的芯片损伤（死灯）、界面机械接触不良（开路）、以及电极桥接（短路），生成晶圆级的缺陷坐标映射图，为后续的巨量修复提供位置坐标。
2 样品要求
待测的Cell阵列必须具备明确的电学拓扑结构（共阳极或共阴极设计）。背板内部的各级驱动电路引脚必须预先引出至外围易于触及的大尺寸测试PAD，以便测试机能够通过多路复用矩阵开关进行逐点、逐行或区域块的高通量寻址激励，否则无法实现微米级单元的独立电学隔离测试。
3 常见问题
3.1 局域电场导致击穿。
由于Micro-LED芯片体积及热容极小，其对电学过载的耐受极限极低。若测试算法在扫描反向漏电或寻找导通特性时偏压设定过高，或者脉冲电流沿过于陡峭，极易在微米级缺陷区域引发强烈的局域电场集中击穿，瞬时产生的焦耳热会直接熔断键合界面或烧毁芯片，造成死灯现象。
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