具体测试对象：
高纯半导体晶硅（碳化硅，氮化镓等）
高通量半导体辐射探测器薄膜（CdZnTe，TIBr）
用于雪崩探测器的宽禁带绝缘体
1 项目介绍
原理：一种探究半导体禁带中深能级缺陷态分布的高灵敏度热释电学技术。在极低温度下，利用高于带隙的光照射样品，使光生载流子被缺陷陷阱捕获并“冻结”；随后在绝对暗场下以恒定速率对样品加热，记录被捕获电荷获取热能逃逸回导带/价带所产生的微弱释放电流波形。
作用：陷阱激活能（Et 或 Ea）、缺陷态捕获截面（σ）、以及不同能带深度的缺陷分布拓扑图。能够实现对浓度低至 1011cm−3 的痕量杂质能级的定量诊断；判定导致探测器漏电流激增、响应迟滞及极化效应的本征缺陷类型（施主/受主陷阱）；评估材料退火工艺对晶格位错与空位缺陷的愈合效能。
2 样品要求
TSC 提取的是载流子热释放产生的pA甚至fA级微弱电流。样品在测试偏压下必须呈现极高的体电阻抗。若材料存在强烈的本征热激发背景电流（即漏电流过大），微弱的缺陷释放信号将被宏观漏电流的指数上升曲线彻底掩盖，导致陷阱峰无法被分辨。
3 常见问题
3.1 热释电效应与本征漏电流混叠。
对于部分具有微弱铁电或热释电特性的极性半导体（如特定晶向的 GaN），在升温过程中，即使不加偏压，材料自身晶格的热膨胀也会引发表面极化电荷释放（热释电电流）。若未进行严格的无光照空白热底色基线扫描并扣除该背景，该宏观假信号常被误判为极深的陷阱释放峰。
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