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飞行时间法迁移率测量仪 FlyTOF

设备型号:FlyTOF S300

主要应用:
1.适用于各类半导体材料,包括薄膜、晶体、粉末;
2.结合材料的物理模型进行分析,得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。

测试周期:12个工作日

项目介绍


该系统利用飞行时间法(time-of-flight,TOF)测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性,广泛适用于各类半导体材料,如硅基半导体、第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架(MOF)、共价有机框架(COF)等。FlyTOF基于我司的MagicBox主机研制而成,配备便捷的上位机控制和数据测量软件,可助力客户进行快速、准确的测量。FlyTOF是东谱科技源头研发产品,最早于2012年为行业提供搭建式系统,并于2019年全新推出的业内首款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测量商业化设备。


▍ 测试项目


1.飞行时间法瞬态光电流测量

2.半导体材料电子迁移率测量

3.半导体材料空穴迁移率测量


▍ 样品要求


1.样品保存条件: 高真空环境(保存真空度≥10⁻³Pa)或惰性气体(如氩气)保护,常温(25℃±1℃),避免样品表面污染(测试前需紫外臭氧清洁)。

2.样品类型: 有机半导体材料(如聚合物薄膜、小分子晶体)、无机半导体薄膜(如钙钛矿、ZnO)、电荷传输层材料。

3.样品尺寸要求: 器件结构:ITO/有机层/金属(三明治结构),面积:5mm×5mm-10mm×10mm,厚度:50nm-5μm(需精确测量厚度),电极直径≥2mm。


常见问题


1. 多类型半导体材料迁移率表征:适配有机、无机、钙钛矿、量子点等各类半导体材料及MOF、COF,通过飞行时间法瞬态光电流测试,精准测量电子、空穴迁移率,为材料光电特性评估提供核心数据。

2. 半导体材料研发与性能优化:针对聚合物薄膜、小分子晶体、ZnO等样品,精准量化迁移率参数,分析迁移率与材料结构、制备工艺的关联,助力半导体材料性能优化与新型材料研发。

3. 电荷传输层材料测试验证:适配各类电荷传输层材料,通过迁移率测量,评估材料电荷传输能力,验证材料适配性,为半导体器件(如光伏、发光器件)的结构设计提供支撑。

4. 半导体材料精准检测与科研支撑:依托自动化、集成化优势及便捷的上位机操作,快速完成样品迁移率测试,适配科研与研发场景,为半导体材料相关研究提供高效、精准的测试保障。


飞行时间法迁移率测量仪 FlyTOF
设备型号:FlyTOF S300

主要应用:
1.适用于各类半导体材料,包括薄膜、晶体、粉末;
2.结合材料的物理模型进行分析,得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。

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