多功能光电器件测试仪 UltraTran

1.斜坡电压电流测试（Ramp-IV）、阶梯电压电流测试（Step- IV）和脉冲电压电流测试（Pulse-IV）。这些测试模式使得用户能够以不同的电学激励方式对样品进行扫描，从而获得关于样品在不同激励下的电学性质。Ramp-IV以连续的方式提供电压扫描，适用于捕捉材料响应的连贯变化；Step-IV则以逐步阶梯的方式提供电压，适合观察材料在不同电压阶跃下的稳态行为；而Pulse-IV通过短时的电压脉冲，允许研究器件的动力学IV特性，也可以有效减少器件的热阻，增加器件的最大注入电流。

2.UltraTran还提供了开关瞬态光电流（on-off TPC）和开关瞬态光电压（on-off TPV）测试，这些功能适合于研究材料在光照激发下的上升和下降过程【瞬态光电流/光电压/光电荷测试参考我司TranPVC产品】。

3.暗注入瞬态特性测试（DIT）和深能级瞬态谱（DLTS）是可以用于探测和分析半导体中的陷阱和缺陷状态。DLTS技术尤为擅长于识别和量化材料中的微小缺陷浓度，为改善半导体材料质量提供关键信息。

4.设备还支持暗态线性增压电荷抽取测试（Dark-CELIV）和光态线性增压电荷抽取测试（Photo-CELIV），这两种模式能够测定电荷在半导体内的传输和复合机制，得到迁移率等参数。

5.等效电荷抽取测试（CE），可以研究器件的电荷浓度。

6.阻抗谱测试（IS）、电容电压测试（CV）等功能则为设备增加了额外的维度，使其能够全面评估材料的阻抗和介电性能。

7.强度调制光电流谱（IMPS）和强度调制光电压谱（IMVS）为研究者提供了一种独特的方法来探究材料对光强变化的频率响应，这对于光伏材料和应用尤为重要。

8.电致发射谱（ELS）为研究材料的电致发光特性，得到光谱、色坐标等参数。

1.I-V测试

2.ON/OFF  TPV/TPC测试

3.电荷抽取测试CE

4.线性增压载流子测试CELIV

5.脉冲电压测试

6.阻抗谱IS

7.瞬态电致测试TranEL

8.深能级瞬态光谱DLTS

9.强度调制光电流谱/光电压谱IMPS/IMPV

10.调制电致发光光谱MES

2.样品类型： OLED、太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管（FET）等各类光电器件。

3.样品尺寸要求： 器件尺寸：1mm×1mm-50mm×50mm，厚度≤10mm；FET器件需明确沟道长度（≥1μm）和宽度（≥10μm），电极间距≥0.1mm。

1. 发光器件（OLED、PeLED）特性表征：通过I-V测试、脉冲电压测试、电致发射谱（ELS）等功能，精准测量器件电学特性及光谱、色坐标等参数，结合DLTS测试排查器件内部陷阱和缺陷，助力发光器件性能优化与稳定性提升。

2. 光伏器件（OPV、晶硅PV等）综合测试：借助IMPS/IMVS、ON/OFF TPV/TPC、CELIV等测试模式，探究光伏器件光强频率响应、光生载流子瞬态过程及电荷传输机制，测定载流子迁移率，为光伏器件效率提升提供数据支撑。

3. 光电探测器与FET器件测试：对光电探测器进行I-V、ON/OFF TPC等测试，评估其光电响应特性；通过CV、阻抗谱（IS）等测试，分析FET器件沟道特性及介电性能，验证器件设计合理性。

4. 半导体材料缺陷与电荷特性研究：利用DLTS、DIT测试精准识别和量化半导体材料中的缺陷浓度，通过CE、CELIV测试探究电荷浓度、传输及复合机制，为改善半导体材料质量、优化器件制备工艺提供实验依据。

5. 多类型光电器件全流程表征：适配各类光电器件，灵活组合多种测试功能，完成从电学特性、光电响应到缺陷分析的全维度测试，满足器件研发、性能验证及质量管控的多场景需求。