▍ 项目介绍
LorentX包括霍尔效应测量、变温恒温器和外加磁场三部分。能够在不同的温度条件下对半导体材料、薄膜的电阻率、载流子浓度、磁阻率、霍尔系数以及迁移率等参数进行精确测量。支持液氮、液氦低温恒温器耦合，能够在不同的温度区间内进行精确的温度控制与测量。
▍ 测试项目
1.体载流子浓度、表面载流子浓度
2.载流子迁移率
3.霍尔系数
4.电阻率、方块电阻
5.磁致电阻
6.电阻的纵横比率
▍ 样品要求
1.样品保存条件： 常温（20-25℃）、干燥（RH ≤50%），避免磁场干扰（存放环境磁场≤1mT），半导体晶片需放在防静电盒中（防止静电损伤）。
2.样品类型： 半导体材料（如硅片、GaAs、InP）、导电薄膜（如石墨烯、金属薄膜）、二维电子气材料。
3.样品尺寸要求： 晶片尺寸：5mm×5mm-50mm×50mm，厚度：晶片≤3mm，薄膜≤1μm； 需制作四探针电极（间距≥1mm），电极材料为Au或In（低接触电阻）。
▍ 常见问题
1. 半导体材料电学特性表征：精准测量硅片、GaAs等半导体材料的载流子浓度、霍尔系数等参数，探究温度影响，为材料研发优化提供支撑。
2. 导电薄膜性能测试：测量石墨烯、金属薄膜等的载流子迁移率、方块电阻，评估导电性能，助力薄膜应用与工艺改进。
3. 二维电子气材料研究：通过霍尔效应及变温测试，捕捉其载流子特性与磁致电阻，探究微观机制，支撑科研突破。
4. 低温电学特性探究：依托低温恒温器耦合能力，测量低温下样品电学参数变化，满足低温物理等领域测试需求。
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