1.项目介绍
电子束光刻（EBL）是一种无需掩模版的纳米加工技术，其核心在于利用高能电子束直写微纳结构。在真空系统中，电子枪发射的电子经电磁透镜聚焦后，对涂有PMMA或HSQ等敏感光刻胶的基片进行扫描曝光。电子束的能量会使光刻胶发生分子链断裂或交联反应，通过改变材料在显影液中的溶解度差异，最终在基片上显现出所需的纳米级图案。
2.样品要求
（1）适用于直径≤2英寸、厚度<2mm的样品。
（2）干燥固体样品，表面洁净、无油污且无磁性。
3.常见问题
（1）光刻技术包含哪些类型？
光刻技术包括：光刻蚀（Photolithography）、电子束光刻（EBL）、X射线光刻、EUV光刻、纳米压印光刻（NIL）、扫描探针光刻（SPL）。
（2）电子束光刻（EBL）为何无法应用于大规模工业生产？
EBL因耗时、成本高且吞吐量低，未用于工业量产，扩展性亦不及光刻蚀等技术。
（3）对比光刻法分辨率，EBL 分辨率存在哪些局限？
EBL分辨率受限电子束尺寸、邻近效应及背散射；光刻蚀则受波长与衍射限制。EBL分辨率更高但效率与成本劣势明显。
（4）光刻工艺的核心目的是什么？
光刻工艺旨在将掩模或设计图案高精度转印至基片光刻胶。
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